NP35N04YUG-E1-AY
Renesas Electronics America Inc
Deutsch
Artikelnummer: | NP35N04YUG-E1-AY |
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Hersteller / Marke: | Renesas Electronics Corporation |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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2500+ | $0.6865 |
5000+ | $0.6522 |
12500+ | $0.6277 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-HSON |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 17.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1W (Ta), 77W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2850 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 35A (Tc) |
Grundproduktnummer | NP35N04 |
NP35N04YUG-E1-AY Einzelheiten PDF [English] | NP35N04YUG-E1-AY PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 55V 35A 8HSON
NP36N055SHE-E1-AY N
ABU / MOSFET
NP36N055IHE rene
THYRISTOR 320V 100A DO214AA
THYRISTOR 320V 100A DO214AA
Panel, For N1, 3R, 4, 4X, 12 , C
NP36N055SHE rene
Inner Panel, Steel, White
NP36N055ILE VB
256 PIN BGA, 1.00MM
THYRISTOR 320V 80A DO214AA
THYRISTOR 320V 400A DO214AA
THYRISTOR 320V 250A DO214AA
36"X48" 50# BUNDLE NEWSPRINT SHE
Inner Panel, Steel, White
THYRISTOR 320V 80A DO214AA
RENESAS HSON8
N-CHANNEL POWER MOSFET
2024/07/9
2024/05/30
2024/06/19
2024/04/29
NP35N04YUG-E1-AYRenesas Electronics America Inc |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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